我國(guó) ESD 靜電防護(hù)領(lǐng)域關(guān)鍵標(biāo)準(zhǔn)為 GB21148 - 2020。該標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)規(guī)范了靜電防護(hù)諸多方面，涵蓋核心要求及專(zhuān)業(yè)測(cè)試方法等內(nèi)容。在靜電防護(hù)諸多指標(biāo)里，防靜電電阻值是重中之重，其有明確區(qū)間要求，即防靜電電阻值須大于 100kΩ 且小于等于 1000MΩ。換算過(guò)來(lái)，10Ω<電阻值s10Ω。

二、ESD 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與方法詳解

（一）ESD 測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)

在 ESD 測(cè)試場(chǎng)景中，當(dāng)產(chǎn)品放電電流試圖經(jīng)含氣隙路徑傳導(dǎo)時(shí)，設(shè)備內(nèi)部存在二次放電風(fēng)險(xiǎn)。此時(shí)氣隙電壓會(huì)持續(xù)上升，直至氣隙被擊穿。

（二）設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)規(guī)避 ESD 問(wèn)題的策略

電路配置優(yōu)選：挑選對(duì)短暫瞬變信號(hào) “無(wú)動(dòng)于衷” 的電路架構(gòu)，如此能有效降低電路受 ESD 干擾誤觸發(fā)的概率。

PCB 圖案布局：精心設(shè)計(jì) PCB 圖案，重點(diǎn)聚焦于關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，力求將這些節(jié)點(diǎn)處的感應(yīng)電壓降至最低，削弱靜電對(duì)關(guān)鍵部位的影響力度。

防耦合措施：針對(duì)那些不可避免的放電瞬變，要采取有效手段，阻斷其向電路以及電纜中耦合的通路，防止干擾信號(hào)侵入核心傳輸鏈路。

外殼設(shè)計(jì)考量：在產(chǎn)品外殼設(shè)計(jì)階段，充分權(quán)衡防靜電排放因素，優(yōu)化外殼結(jié)構(gòu)與材質(zhì)，打造一道抵御外部靜電侵?jǐn)_的堅(jiān)固屏障。

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