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        7. 20G10F場效應(yīng)管參數(shù),20G10F中文資料

          20G10F場效應(yīng)管參數(shù),20G10F中文資料

          發(fā)布時間:2025-10-11 16:07:04
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          產(chǎn)品概述
          20G10F場效應(yīng)管參數(shù)
          烜芯微生產(chǎn)20G10F場效應(yīng)管,提供20G10F的參數(shù)規(guī)格書,20G10F中文資料與20G10F場效應(yīng)管的引腳圖
          20G10F場效應(yīng)管參數(shù)具體如下:
          極性:N+P溝道
          Power Dissipation(w)功耗:3.5W
          Continuous Drain Current ID(A)持續(xù)漏極電流:NPN極15A,PNP極-7A
          Drain-Source Voltage VDS(V)漏源極電壓:NPN極100V,PNP極-100V
          Gate-Source Voltage VGS(V)柵源電壓:±20V
          Gate Threshold Voltage Vgs(ts)開啟電壓:NPN極1.2~2.5V,PNP極-1.2~-2.5V
          NPN極:Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=5A,VGS=10V:Typ 65mΩ Max 90mΩ
          Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=3A,VGS=4.5V:Typ 75mΩ Max 105mΩ
          PNP極:Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-3A,VGS=-10V:Typ 180mΩ Max 220mΩ
          Static Drain-Source On-Resistance RDS(on)導(dǎo)通電阻ID=-2A,VGS=-4.5V:Typ 210mΩ Max 255mΩ
          Junction and Storage Temperature Range :結(jié)和儲存溫度范圍:-55 to 150℃
          20G10F場效應(yīng)管封裝為:PDFN5*6-8L
          20G10F
          作用與應(yīng)用
          20G10F場效應(yīng)管的核心作用是作為電子開關(guān)使用。在電路中,它通過控制柵極電壓來調(diào)節(jié)漏源路徑上的電流流動,實現(xiàn)對負載的精確控制。20G10F廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
          電源管理:20G10F可用作低壓降開關(guān),用于電源管理電路中的電池充放電控制、DC-DC變換器等。
          信號放大:在音頻放大器和低頻放大器中,20G10F可以作為信號放大的關(guān)鍵部件。
          開關(guān)控制:在各種開關(guān)電路中,如LED燈控制、電機控制等,20G10F能提供高效的開關(guān)控制功能。
          模擬開關(guān):在模擬電路中,20G10F可以作為開關(guān)管,用于模擬信號的控制和處理。
          充電管理:在移動設(shè)備和電動車等充電管理系統(tǒng)中,20G10F用于充電過程中的電池保護和充電控制。
          〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管,三極管,MOS管,橋堆等,20年,工廠直銷省20%,上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用,專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信,由我們的銷售經(jīng)理給您精準(zhǔn)的報價以及產(chǎn)品介紹
           
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