IGBT在柵極和發射極之間加入正電壓就可以進行導通。不過，這個正電壓至少需要高于閾值電壓。如果柵極和發射極之間的電壓低于閾值電壓，IGBT則將關閉或者處于截止狀態。
由于IGBT的跨導，集電極電流IC是柵-射極電壓的函數，此外，飽和壓降也受控于該電壓。即，柵-射極電壓越高，集電極電流就越大和飽，飽和壓降就越低。不過，一般通態損耗受控于飽和壓降，因此需要使用一個相對高的控制電壓來獲得最低的通態損耗。
此外需要注意的是，短路時，高柵-射極電壓將導致大短路電流。一般在正常工作時IDE通態損耗和故障時的最大短路電流中取得妥協值。一般是15V，不超過20V（保證可靠工作的最大值）。
否則，在短路時極易產生較危險的大電流。如果考慮柵極氧化層的電壓阻斷能力。
2.負電壓控制
當施加一個負的柵極電壓，IGBT將會關斷。同正電壓一樣，負電壓不低于-20V，-15V是數據手冊的典型值。不過，在實際應用中，成本與性能一樣重要，-15V并不適合所有場合。實際應用中關斷電壓可以選擇-15V~0V，但許多場合應用會選擇-10~-5V的關斷電壓，原因在于：
1. 所需要的驅動功率低；
2. 可用的驅動IC，許多驅動IC在CMOS上開發的，會限制阻斷電壓，比如說正負電源電壓之間的最大值會是30V；
因此，柵極負電壓的范圍會選擇-10V~-5V，產生負柵極電壓的同時節約電源功率，最小化成本。例如一些低成本的IGBT驅動應用，放棄負電壓可以簡化驅動供電的設計。
不過，采用0V關斷，在一些大功率電力電子裝置上，可能會面臨寄生開通的問題。
寄生導通：指被關斷的IGBT再次短時間導通的過程。
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