MOS管TJ、TA、TC
一般情況下 TC=TJ-P*Rjc 或者TA=TJ-P*Rja
P是芯片最大的功耗
Rjc是結(jié)殼間的熱阻Rja表示結(jié)與環(huán)境間的熱阻
應(yīng)用比較廣泛的是計(jì)算二極管和MOS管的損耗和溫度是否支撐的住，我們一般計(jì)算都是室溫下25，如果是放在溫箱中TA帶入就不能是25
比如一個(gè)器件室溫下工作TA=TC=25度
功耗最大是1.5W Rja=Rjc=83.3
TJ=25+1.5*83.3=149.95
所以 TC=150-P*Rjc
假如管子功耗是1W 則最大能承受的的殼體溫度為TC=150-1*Rjc=66.7度
如果殼體溫度大于66.7度 對(duì)應(yīng)的管子的功耗必然下降 管子本身也對(duì)應(yīng)有一個(gè)功耗的降額值
比如說(shuō)12mw/度 那么對(duì)應(yīng)的功耗P=Pmax-(TC-25)*0.012
P=1.5-（66-25）*0.012=1.008W 同溫度計(jì)算值相差不大 公式適應(yīng)
通過(guò)這種方式 可以變相算出TJ TC和功耗等情況。
同時(shí) 當(dāng)溫度過(guò)高時(shí) 二極管的正向電流會(huì)相應(yīng)減小 （跟負(fù)載能力相關(guān)） 正向?qū)▔航禃?huì)相應(yīng)減小 這個(gè)可以參考手冊(cè)曲線，選型二極管的時(shí)候一定要保證二極管的損耗在0.5W內(nèi)，否則不適應(yīng)于二極管的場(chǎng)合。
按照上面的公式可以 推出TJ=25+110*1.14=150 符合公式
P=(150-TC)/1.14
假如工作環(huán)境在60度的時(shí)候 則P=（150-60）/1.14=79W
MOS管選型時(shí)候需要考慮開(kāi)關(guān)損耗和溫度
純開(kāi)關(guān)應(yīng)用 不考慮開(kāi)關(guān)損耗是 P=ID^2*Rdson ID是連續(xù)漏電流
按照實(shí)際應(yīng)用推算 P=(150-TC)/1.14 公式 可以反向推導(dǎo)ID是多少。
當(dāng)涉及到開(kāi)關(guān) 必須要考慮的就是損耗 損耗與芯片的運(yùn)行溫度和發(fā)熱量有關(guān)系
MOS管的損耗包含：AC損耗 DC損耗 死區(qū)時(shí)間功耗（在有占空比的時(shí)候用到 同步整流時(shí)候二個(gè)管子同時(shí)關(guān)閉）
AC 損耗（PswAC） = ? * Vds * Ids * (trise + tfall)*Fsw
DC 損耗: PswDC = RdsOn * Iout * Iout * 占空比（其中占空比為輸出/輸入）
死區(qū)時(shí)間損耗Pdt=2*VF(體二極管的導(dǎo)通壓降)*Io*Tdead_time*Fsw
如果是同步整流電流 則:
高邊管的導(dǎo)通電阻損耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
低邊管的導(dǎo)通電阻損耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(1-Vo/vin)
如果是異步整流，則下管是二極管：
高邊管的導(dǎo)通電阻損耗PswDC = RdsOn * Iout * Iout *(Vo/vin)
二極管的導(dǎo)通電阻損耗PswDC = VF*Iout*(1-Vo/vin)
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