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        7. 電流驅(qū)動電流檢測電路圖解
          • 發(fā)布時間:2020-11-03 16:52:56
          • 來源:
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          電流驅(qū)動電流檢測電路圖解
          在此介紹的基于運(yùn)放的電流檢測電路并不新鮮,它的應(yīng)用已有些時日,但很少有關(guān)于電路本身的討論。在相關(guān)應(yīng)用中它被非正式地命名為“電流驅(qū)動”電路,所以我們現(xiàn)在也這樣說。讓我們首先探究其基本概念,它是一個運(yùn)算放大器和MOSFET電流源(注意,如果您不介意基極電流會導(dǎo)致1%左右的誤差,也可以使用雙極晶體管)。圖1A顯示了一個基本的運(yùn)算放大器電流源電路。把它垂直翻轉(zhuǎn),這樣我們可在圖1B中做高邊電流檢測,在圖1C中重新繪制,來描繪我們將如何使用分流電壓作為輸入電壓,圖1D是最終的電路。
          電流驅(qū)動
          【圖1、此圖描述了從基本運(yùn)算放大器電流源轉(zhuǎn)換為具有電流輸出的高邊電流檢測放大器】
          基本電路
          圖2顯示了電路電源電壓低于運(yùn)算放大器的額定電源電壓。在電壓-電流轉(zhuǎn)換中添加一個負(fù)載電阻,記住您現(xiàn)在有一個高阻抗輸出,如果您想要最簡單的方案,這樣可能就行了。
          根據(jù)圖2的實施高邊電流檢測的基本完整電路,需要考慮的細(xì)節(jié)有:
          運(yùn)放必須是軌對軌輸入,或有一個包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實現(xiàn)最小偏移量。但請記住,即使使用零漂移軌對軌運(yùn)放,在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通常不利于實現(xiàn)最低偏移。
          MOSFET漏極處的輸出節(jié)點由于正電壓的擺動而受到限制,其幅度小于分流電源軌或小于共模電壓。增加增益緩沖器可以降低該節(jié)點處電壓擺幅的要求。
          該電路在死區(qū)短路時不具備低邊檢測或電流檢測所需的零伏特共模電壓能力。在圖2的電路中,最大共模電壓等于運(yùn)算放大器的最大額定電源電壓。
          該電路是單向的,只能測量一個方向的電流。
          增益精度是RIN和RGAIN公差的直接函數(shù)。非常高的增益精度是可能的。
          共模抑制比(CMRR)一般由放大器的共模抑制能力決定。MOSFET也對CMRR有影響,漏電的或其他劣質(zhì)的MOSFET可降低CMRR。
          電流驅(qū)動
          【圖2、最簡單的方法是使用電源電壓額定值內(nèi)的運(yùn)算放大器。可通過RGAIN/RIN被配置為增益50。】
          性能優(yōu)化
          一個完全緩沖的輸出總是比圖2的高阻抗輸出要靈活得多,并且在緩沖器中提供2的輕微增益,可降低第一級和MOSFET的動態(tài)范圍要求。
          在圖3中,我們還添加了支持雙向電流檢測的電路。這里把電流源電路(還記得圖1A嗎?)與U1非逆變輸入的輸入電阻(RIN 2)一起使用,等效成RIN(在這種情況下為RIN 1)。然后這個電阻器產(chǎn)生一個抵消輸出的壓降,以適應(yīng)必要的雙向輸出擺動。從REF引腳到整個電路輸出的增益基于RGAIN/ROS的關(guān)系,使得REF輸入可以被配置為提供單位增益,而不考慮通過RGAIN/RIN設(shè)置的增益(只要RIN 1和RIN 2是相同的值),從而像傳統(tǒng)的差分放大器參考輸入:
          VREFOUT=VREF *(RGAIN/ROS)*ABUFFER
          (其中ABUFFER是緩沖增益)
          注意,在所有后續(xù)電路中,雙向電路是可選的,對于單向電路可以省略。
          電流驅(qū)動
          【圖3、此版本增加了緩沖輸出和雙向檢測能力。它提供了一個參考輸入,即使在RIN 1和RIN 2值所確定的不同增益設(shè)置下,它也總是以單位增益運(yùn)行。】
          在高共模電壓下使用
          通過浮動電路和使用具有足夠額定電壓的MOSFET,電流驅(qū)動電路幾乎可在任何共模電壓下使用,電路的工作電壓高達(dá)數(shù)百伏特已經(jīng)成為一個非常常見和流行的應(yīng)用。電路能達(dá)到的額定電壓是由所使用的MOSFET的額定電壓決定的。
          浮動電路包括在放大器兩端增加齊納二極管Z1,并為它提供接地的偏置電流源。齊納偏壓可像電阻一樣簡單,但本文作者喜歡電流鏡技術(shù),因為它提高了電路承受負(fù)載電壓變化的能力。在這樣做時,我們已創(chuàng)建了一個運(yùn)放的電源“窗口”,在負(fù)載電壓浮動。
          另一個二極管D1已出現(xiàn)在高壓版本中。這個二極管是必要的,因為一個接地的短路電路最初在負(fù)載處會把非逆變輸入拉至足夠負(fù)(與放大器負(fù)供電軌相比),這將損壞放大器。二極管限制這種情況以保護(hù)放大器。
          電流驅(qū)動
          【圖4、高壓電路“浮動”運(yùn)放,其齊納電源在負(fù)載電壓軌】
          該電路其它鮮為人知的應(yīng)用
          我不確定是否有人使用電流檢測MOSFET。在幾年前的一些實驗室研究中,我確信,一旦校準(zhǔn),MOSFET電流檢測是非常精確和線性的,但它們有約400 ppm的溫度系數(shù)。盡管如此,最佳的電路結(jié)構(gòu)迫使檢測電極在與MOSFET的源電壓相同的電壓下工作,同時輸出部分電流。圖5顯示了如何使用電流驅(qū)動電路來實施。
          電流驅(qū)動
          【圖5、MOSFET檢測FET電路】
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