本實(shí)用新型屬于電路保護(hù)技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種保護(hù)電路，具體是一種自鎖保護(hù)電路。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子器件應(yīng)用于各行各業(yè)，面對各種嚴(yán)酷的工作環(huán)境，對電路的保護(hù)尤為重要。如果電子器件在工作中出現(xiàn)問題，而沒有保護(hù)電路工作，就會造成電子器件壽命安全性降低，或直接損壞燒毀，造成難以估計的損失。因而為了保證電子器件的安全性和可靠性，一種有效的保護(hù)電路是非常重要的。

由于各種復(fù)雜的使用環(huán)境，電子器件在使用過程中難免會碰到嚴(yán)酷的超過器件本身額定的工作條件，或是人為操作失誤，而這種情況下可能瞬間就會對電子器件產(chǎn)生損害，人工無法在很短時間內(nèi)對電子器件進(jìn)行斷電保護(hù)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素

本實(shí)用新型的目的在于提供一種自鎖保護(hù)電路，可以在電路發(fā)生故障需要斷開總電源時，實(shí)現(xiàn)斷開電源后保持自鎖，直到故障解決，電路重新上下電后，重新恢復(fù)到工作狀態(tài)。

本實(shí)用新型的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種自鎖保護(hù)電路，包括電源VCC、MOS管Q1和三個三極管Q2、Q3、Q4，所述電源VCC連接MOS管Q1的漏級，所述MOS管Q1的源級連接用電器；

所述電源VCC與MOS管Q1的漏級之間具有結(jié)點(diǎn)M1，所述結(jié)點(diǎn)M1通過電阻R1連接MOS管Q1的柵極；

所述電阻R1與MOS管Q1的柵極之間具有結(jié)點(diǎn)M2，所述結(jié)點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極，所述三極管Q2的發(fā)射級接地；

所述電阻R1與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M3，所述結(jié)點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極，所述三極管Q3的發(fā)射極通過電阻R2接地；

所述三極管Q3的發(fā)射極與電阻R2之間具有結(jié)點(diǎn)M4，所述結(jié)點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級和三極管Q4的基級；

所述電源VCC與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M5，所述結(jié)點(diǎn)M5通過電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極，所述三極管Q4的集電極接地；

所述三極管Q4的發(fā)射極與電阻R3之間具有結(jié)點(diǎn)M6，所述結(jié)點(diǎn)M6連接二極管D1的正極，所述二極管D1的負(fù)極連接三極管Q3的基級；

所述二極管D1的負(fù)極與三極管Q3的基極之間具有結(jié)點(diǎn)M7，所述結(jié)點(diǎn)M7連接反饋控制端。

進(jìn)一步地，所述反饋控制端采用MCU單片機(jī)、過壓保護(hù)電路、過流保護(hù)電路或過溫保護(hù)電路。

進(jìn)一步地，所述MOS管Q1采用N型MOS管。

進(jìn)一步地，所述三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管，所述三極管Q4采用PNP型三極管。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型提供的自鎖保護(hù)電路，通過控制MOS管給用電器供電，通過反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷，實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源，通過三個三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能，保持用電器斷路狀態(tài)，避免電路在問題未解決時反復(fù)重啟問題，同時在解決電路問題后重新上下電后，正常給用電器供電，大大提高了電路的安全性，有效保證了用電器電路板壽命和可靠性，保證用電器的安全，成本低，適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配，大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險，有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。

附圖說明：下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型提供了一種自鎖保護(hù)電路，包括電源VCC、連接電源VCC和用電器的MOS管Q1以及用于環(huán)路自鎖控制的三個三極管Q2、Q3、Q4。

其中，MOS管Q1采用N型MOS管，具有柵極、源級和漏級三個接點(diǎn)。三極管Q2、Q3、Q4均具有基極、集電極和發(fā)射級三個接點(diǎn)，其中，三極管Q2、Q3均采用NPN型三極管，三極管Q4采用PNP型三極管。

電源VCC連接MOS管Q1的漏級D，MOS管Q1的源級S連接用電器，作為用電器的電源輸入；電源VCC與MOS管Q1的漏級D之間具有結(jié)點(diǎn)M1，結(jié)點(diǎn)M1通過電阻R1連接MOS管Q1的柵極G。

電阻R1與MOS管Q1的柵極G之間具有結(jié)點(diǎn)M2，結(jié)點(diǎn)M2連接三極管Q2的集電極C2，三極管Q2的發(fā)射級E2接地。

電阻R1與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M3，結(jié)點(diǎn)M3連接三極管Q3的集電極C3，三極管Q3的發(fā)射極E3通過電阻R2接地。

三極管Q3的發(fā)射極E3與電阻R2之間具有結(jié)點(diǎn)M4，結(jié)點(diǎn)M4分別連接三極管Q2的基級B2和三極管Q4的基級B4。

電源VCC與結(jié)點(diǎn)M1之間具有結(jié)點(diǎn)M5，結(jié)點(diǎn)M5通過電阻R3連接三極管Q4的發(fā)射極E4，三極管Q4的集電極C4接地。

三極管Q4的發(fā)射極E4與電阻R3之間具有結(jié)點(diǎn)M6，結(jié)點(diǎn)M6連接二極管D1的正極，二極管D1的負(fù)極連接三極管Q3的基級B3。

二極管D1的負(fù)極與三極管Q3的基極B3之間具有結(jié)點(diǎn)M7，結(jié)點(diǎn)M7連接反饋控制端。反饋控制端采用MCU單片機(jī)、過壓保護(hù)電路、過流保護(hù)電路或過溫保護(hù)電路等，當(dāng)檢測到用電器出現(xiàn)過壓、過流或過溫等故障時，輸出反饋控制信號(高電平信號)到結(jié)點(diǎn)M7。

本實(shí)用新型工作原理

系統(tǒng)上電后，MOS管Q1導(dǎo)通，用電器正常工作；當(dāng)反饋控制端檢測到用電器出現(xiàn)過壓、過流或過溫等故障時，輸出高電平信號到結(jié)點(diǎn)M7，此時三極管Q3導(dǎo)通，結(jié)點(diǎn)M4的電平被拉高，進(jìn)而三極管Q2導(dǎo)通，結(jié)點(diǎn)M2的電平被拉低，使得MOS管Q1斷開，用電器斷電；同時，因結(jié)點(diǎn)M4的電平被拉高，導(dǎo)致三極管Q4斷開，從而保證結(jié)點(diǎn)M7電壓被鎖定在高電平狀態(tài)，即MOS管Q1被鎖定在斷開狀態(tài)，直到系統(tǒng)斷電重啟后恢復(fù)正常導(dǎo)通狀態(tài)。

本實(shí)用新型提供的自鎖保護(hù)電路，通過控制MOS管給用電器供電，通過反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷，實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源，通過三個三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能，保持用電器斷路狀態(tài)，避免電路在問題未解決時反復(fù)重啟問題，同時在解決電路問題后重新上下電后，正常給用電器供電，大大提高了電路的安全性，有效保證了用電器電路板壽命和可靠性，保證用電器的安全，成本低，適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配，大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險，有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。

在本說明書的描述中，參考術(shù)語“一個實(shí)施例”、“示例”、“具體示例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)包含于本實(shí)用新型的至少一個實(shí)施例或示例中。在本說明書中，對上述術(shù)語的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或示例。而且，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或者特點(diǎn)可以在任何的一個或多個實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

以上內(nèi)容僅僅是對本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)所作的舉例和說明，所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

技術(shù)總結(jié)

本實(shí)用新型公開了一種自鎖保護(hù)電路，通過控制MOS管給用電器供電，通過反饋控制端給入反饋控制信號控制MOS管的通斷，實(shí)現(xiàn)切斷用電器電源，通過三個三極管的開關(guān)效應(yīng)形成環(huán)路控制實(shí)現(xiàn)自鎖保護(hù)功能，保持用電器斷路狀態(tài)，避免電路在問題未解決時反復(fù)重啟問題，同時在解決電路問題后重新上下電后，正常給用電器供電，大大提高了電路的安全性，有效保證了用電器電路板壽命和可靠性，保證用電器的安全，成本低，適用于各種電子產(chǎn)品的保護(hù)電路搭配，大大降低了電子器件損壞的風(fēng)險，有效保證了電子產(chǎn)品的品質(zhì)、安全性和可靠性。
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