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        7. 開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體芯片知識(shí)
          • 發(fā)布時(shí)間:2020-02-24 13:01:45
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          開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體芯片知識(shí)
          三端單片性能特點(diǎn)
          三端單片開(kāi)關(guān)電源芯片是目前國(guó)際上正在流行的新型開(kāi)關(guān)電源芯片。專業(yè)從事電源半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的在世界率先研制成功的一端隔離式脈寬調(diào)制單片MOS開(kāi)關(guān)電路集成電路,被譽(yù)為“頂級(jí)開(kāi)關(guān)電源”。其第一代產(chǎn)品以1994年推出的TOP100/200系列為代表,第二代產(chǎn)品則是1997年問(wèn)世TOPSwitch-Ⅱ。TOPSwitch-Ⅱ與第一代產(chǎn)品相比,不僅在性能上有進(jìn)一步的改進(jìn),而且其輸出功率得到了顯著提高,現(xiàn)已成為國(guó)際上開(kāi)發(fā)中、小功率開(kāi)關(guān)電源及電源模塊的優(yōu)選MOS集成電路。
          TOPSwitch-Ⅱ芯片有顯著的優(yōu)點(diǎn):①由于高壓MOSFETPWM及驅(qū)動(dòng)電路等集成在一個(gè)芯片里,大大提高了電路的集成度,所以用該芯片設(shè)計(jì)的開(kāi)關(guān)電源,外接元器件少,可降低成本,縮小體積,提高可靠性;②內(nèi)置高壓MOSFET,寄生電容小,可減少交流損耗;內(nèi)置的啟動(dòng)電路和電流限制減少了直流損耗,加上CMOS的PWM控制器及驅(qū)動(dòng)器功耗也只有6mW,因此有效地降低了總功耗,提高了效率;③電路設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,只有三個(gè)功能引腳,分別是源極、漏極和控制極;MOSFET的耐壓高達(dá)700V,因此220V交流電經(jīng)整流濾波后,可直接供給該電路使用;④芯片內(nèi)部具有完善的自動(dòng)保護(hù)電路,包括輸入欠壓保護(hù)、輸出過(guò)流、過(guò)熱保護(hù)及自動(dòng)再啟動(dòng)功能。
          TOPSwitch - II系列芯片的管腳排列和封裝
          TOPSwitch -Ⅱ系列芯片有三種封裝形式:TO - 220型、DIP -8型和SMD -8型。其中最常見(jiàn)的為三引腳的TO - 220封裝,如圖1-12所示。
          開(kāi)關(guān)電源半導(dǎo)體芯片
          (1)控制極c:占空些控制誤差放大器輸入端和反饋電流輸入腳。啟動(dòng)時(shí),由內(nèi)部高壓電流源提供內(nèi)部偏置電流;正常工作時(shí),它流入反饋控制電流。它同時(shí)用做電源旁路電容和自動(dòng)啟動(dòng)/補(bǔ)償電容的接入點(diǎn)。
          (2)源極S:在TO - 220封裝中,它既是MOSFET的源極接點(diǎn),也是開(kāi)關(guān)電源初級(jí)回路的公共點(diǎn)和參考點(diǎn)。
          (3)漏極D:MOSFET的漏極接入點(diǎn)。在啟動(dòng)時(shí),它提供內(nèi)部偏置電流。
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