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        7. 大功率mos參數型號表與開關電路特性分析
          • 發布時間:2019-08-17 15:33:39
          • 來源:
          • 閱讀次數:
          大功率mos參數表
          功率mos
          文中列出了烜芯微半導體大功率mos參數表,請查看下表。先了解一下功率mos,功率放大電路是一種以輸出較大功率為目的的放大電路。因此,要求同時輸出較大的電壓和電流。管子工作在接近極限狀態。一般直接驅動負載,帶載能力要強。
          功率MOSFET是較常使用的一類功率器件。是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(PowerMOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安),用于功率輸出級的器件。功率MOSFET可分為增強型和耗盡型,按溝道分又可分為N溝道型和P溝道型。
          大功率mos參數表
          大功率mos參數表
          烜芯半導體大功率mos參數表如下:

          Part Number

          IDA

          BVDSSv

          Typical

          RDS(ON)@60%

          ID(Ω)

          MAX

          RDS(ON)@60%

          ID(Ω)

          ciss

          pF

          4360A

          4

          600

          1.9

          2.3

          511

          5N60E

          4.5

          600

          2

          2.5

          780

          4660A

          7

          600

          1

          1.25

          1120

          5N50H

          5

          500

          1.25

          1.5

          525

          840S

          8

          500

          0.7

          0.9

          960

          4750S

          9

          500

          0.7

          0.9

          960

          4850A

          9

          500

          0.7

          0.9

          960

          6450A

          13

          500

          0.4

          0.48

          2149

          6650A

          15

          500

          0.33

          0.45

          2148

          18N50H

          18

          500

          0.25

          0.32

          2500

          20N50H

          20

          500

          0.21

          0.26

          2700

          24N50H

          24

          500

          0.16

          0.2

          3500

          7650A

          25

          500

          0.17

          0.21

          4280

          8150A

          30

          500

          0.15

          0.2

          4150

          10N80H

          10

          800

          0.85

          1.1

          2230

          4760A

          8

          600

          0.85

          1.1

          1250

          10N60H

          9.5

          600

          0.6

          0.73

          1570

          12N60H

          12

          600

          0.53

          0.65

          1850

          7160A

          20

          600

          0.35

          0.45

          2800

          4365A

          4

          650

          2

          2.5

          523

          7N65H

          7

          650

          1.2

          1.4

          1000

          4665B

          7

          650

          1.1

          1.4

          1048

          4665A

          7.5

          650

          1.1

          1.4

          970

          10N65H

          10

          650

          0.65

          0.75

          1650

          6165A

          10

          650

          0.6

          0.9

          1554

          12N65H

          12

          650

          0.63

          0.75

          1850

          6N70H

          5.8

          700

          1.8

          2.3

          650

          7N80H

          7

          800

          1.4

          1.9

          1300

          9N90S

          9

          900

          1.05

          1.4

          2780

          42150A

          2.8

          1500

          6.5

          9

          1500

          大功率MOS管開關電路
          實例應用電路分析
          1、 三星等離子V2屏開關電源PFC部分激勵電路分析;
          如下圖1所示是三星V2屏開關電源,PFC電源部分電原理圖,圖2所示是其等效電路框圖。
          大功率mos參數表
          圖1
          大功率mos參數表
          圖2
          圖1所示;是三星V2屏等離子開關電源的PFC激勵部分。從圖中可以看出;這是一個并聯開關電源L1是儲能電感,D10是這個開關電源的整流二極管,Q1、Q2是開關管,為了保證PFC開關電源有足夠的功率輸出,采用了兩只MOS管Q1、Q2并聯應用(圖2所示;是該并聯開關電源等效電路圖,圖中可以看出該并聯開關電源是加在整流橋堆和濾波電容C5之間的),圖中Q3、Q4是灌流激勵管,Q3、Q4的基極輸入開關激勵信號, VCC-S-R是Q3、Q4的VCC供電(22.5V)。
          兩只開關管Q1、Q2的柵極分別有各自的充電限流電阻和放電二極管,R16是Q2的在激烈信號為正半周時的對Q2柵極等效電容充電的限流電阻,D7是Q2在激烈信號為負半周時的Q2柵極等效電容放電的放電二極管,同樣R14、D6則是Q1的充電限流電阻和放電的放電二極管。R17和R18是Q1和Q2的關機柵極電荷泄放電阻。D9是開機瞬間浪涌電流分流二極管。
          大功率MOS管特性
          上述大功率MOS管工作原理中可以看出,MOS管的柵極G和源極S之間是絕緣的,由于Sio2絕緣層的存在,在柵極G和源極S之間等效是一個電容存在,電壓VGS產生電場從而導致源極-漏極電流的產生。此時的柵極電壓VGS決定了漏極電流的大小,控制柵極電壓VGS的大小就可以控制漏極電流ID的大小。這就可以得出如下結論:
          1) MOS管是一個由改變電壓來控制電流的器件,所以是電壓器件。
          2) MOS管道輸入特性為容性特性,所以輸入阻抗極高。
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